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SiR158DP
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
8 0
64
4 8
32
16
0
V GS = 10 V thru 4 V
V GS = 3 V
10
8
6
4
2
0
T C = 25 °C
T C = 125 °C
T C = - 55 °C
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
0
1
2
3
4
5
0.0030
0.0026
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
Output Characteristics
6500
5200
V GS - Gate-to-So u rce V oltage ( V )
Transfer Characteristics
C iss
0.0022
V GS = 4.5 V
3900
0.001 8
0.0014
0.0010
V GS = 10 V
2600
1300
0
C rss
C oss
0
14
2 8
42
56
70
0
6
12
1 8
24
30
10
I D - Drain C u rrent (A)
On-Resistance vs. Drain Current
I D = 20 A
1. 8
I D = 20 A
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
Capacitance
8
V DS = 10 V
1.6
1.4
V GS = 10 V
6
V DS = 15 V
V DS = 20 V
1.2
V GS = 4.5 V
4
1.0
2
0
0. 8
0.6
0
1 8
36
54
72
90
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
Q g - Total Gate Charge (nC)
Gate Charge
Document Number: 64730
S09-0318-Rev. A, 02-Mar-09
T J - J u nction Temperat u re (°C)
On-Resistance vs. Junction Temperature
www.vishay.com
3
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